BUK9M120-100EX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 0.32 EUR |
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Technische Details BUK9M120-100EX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44W, Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BUK9M120-100EX nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.17 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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BUK9M120-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 882 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 80 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 |
auf Bestellung 7124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 26175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9M120-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.5 A, 0.096 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9M120-100EX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R |
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| BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| BUK9M120-100EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8.1A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 44W Case: LFPAK33; SOT1210 On-state resistance: 0.34Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Gate-source voltage: ±10V |
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