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BUK9M156-100EX

BUK9M156-100EX Nexperia

268949935190047buk9m156-100e.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details BUK9M156-100EX Nexperia

Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 36W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-1210, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX Nexperia BUK9M156-100E.pdf MOSFETs BUK9M156-100E/SOT1210/mLFPAK
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BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
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BUK9M156-100EX BUK9M156-100EX NEXPERIA NEXP-S-A0003105723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
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