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Technische Details BUK9Y22-60ELX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BUK9Y22-60ELX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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BUK9Y22-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BUK9Y22-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y22-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0118 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 95W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V euEccn: NLR Verlustleistung: 95W Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0118ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK9Y22-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y22-60ELX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y22-60ELX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2592 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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