BUK9Y30-75B,115 Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 673 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.87 EUR |
| 14+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.91 EUR |
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Technische Details BUK9Y30-75B,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BUK9Y30-75B,115 nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V, 38 mohm logic level MOSFET in LFPAK56 |
auf Bestellung 19249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y30-75B,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 34 A, 0.028 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : NEXPERIA |
BUK9Y30-75B.115 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y30-75B,115 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 34A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |