Produkte > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y4R8-60E,115
BUK9Y4R8-60E,115

BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

BUK9Y4R8-60E.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.48 EUR
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote BUK9Y4R8-60E,115 nach Preis ab 1.56 EUR bis 6.62 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.82 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.44 EUR
10000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.82 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y4R8-60E.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 Nexperia BUK9Y4R8-60E.pdf MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+3.47 EUR
50+2.64 EUR
100+2.37 EUR
1500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E,115 NEXPERIA PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.62 EUR
52+4.5 EUR
100+3.7 EUR
500+3.51 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+2.82 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.44 EUR
10000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 2026844604916248buk9y4r8-60e.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
235+2.82 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7853 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.77 EUR
10+3.06 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 BUK9Y4R8-60E.pdf
BUK9Y4R8-60E,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 100A
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.4 EUR
10+3.47 EUR
50+2.64 EUR
100+2.37 EUR
1500+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y4R8-60E,115 PHGLS27993-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BUK9Y4R8-60E,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y4R8-60E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+6.62 EUR
52+4.5 EUR
100+3.7 EUR
500+3.51 EUR
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH