BUK9Y7R0-60ELX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 5.6 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 50+ | 2.79 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
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Technische Details BUK9Y7R0-60ELX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 238.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238.4W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9Y7R0-60ELX nach Preis ab 1.32 EUR bis 6.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 238.4W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 238.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 238.4W Bauform - Transistor: LFPAK56 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 125A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y7R0-60ELX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 108A; Idm: 612A; 238.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 108A Pulsed drain current: 612A Power dissipation: 238.4W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 15.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 152nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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