BUK9Y7R0-60ELX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 4.5 MOHM
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8327 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.66 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 50+ | 3.32 EUR |
| 100+ | 3 EUR |
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Technische Details BUK9Y7R0-60ELX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, Verlustleistung: 238.4W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Weitere Produktangebote BUK9Y7R0-60ELX nach Preis ab 1.57 EUR bis 7.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BUK9Y7R0-60ELX | Nexperia |
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A |
auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y7R0-60ELX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V Verlustleistung: 238.4W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BUK9Y7R0-60ELX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A
MOSFETs SOT669 N-CH 60V 125A
auf Bestellung 780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.2 EUR |
| 10+ | 4.69 EUR |
| 50+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 1500+ | 1.57 EUR |
| BUK9Y7R0-60ELX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: NEXPERIA - BUK9Y7R0-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3600 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)