| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 1.95 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.24 EUR |
| 1500+ | 1.2 EUR |
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Technische Details BUK9Y8R5-80EX Nexperia
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BUK9Y8R5-80EX nach Preis ab 2.23 EUR bis 5.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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BUK9Y8R5-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BUK9Y8R5-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BUK9Y8R5-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5800 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BUK9Y8R5-80EX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8167 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BUK9Y8R5-80EX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 423A; 238W Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A Power dissipation: 238W Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 54.7nC On-state resistance: 21.3mΩ Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 423A Application: automotive industry |
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