Produkte > NEXPERIA USA INC. > BUK9Y8R8-60ELX
BUK9Y8R8-60ELX

BUK9Y8R8-60ELX Nexperia USA Inc.


BUK9Y8R8-60EL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BUK9Y8R8-60ELX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0044 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 194W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote BUK9Y8R8-60ELX nach Preis ab 1.46 EUR bis 3.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BUK9Y8R8-60ELX BUK9Y8R8-60ELX Hersteller : Nexperia BUK9Y8R8-60EL.pdf MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 8106 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.17 EUR
10+2.01 EUR
100+1.56 EUR
500+1.47 EUR
1500+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELX BUK9Y8R8-60ELX Hersteller : Nexperia USA Inc. BUK9Y8R8-60EL.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 5.6 MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6695 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.31 EUR
10+2.76 EUR
100+2.2 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELX BUK9Y8R8-60ELX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0014975121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0044 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELX BUK9Y8R8-60ELX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0014975121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BUK9Y8R8-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0044 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 194W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9Y8R8-60ELX Hersteller : NEXPERIA buk9y8r8-60el.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 110A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH