Technische Details BUZ10 SIEMENS
Description: MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| BUZ10 | Hersteller : SIE |
 TO-220 98+ |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ10 (Transistor) Produktcode: 49816
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : ST |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 23 Rds(on), Ohm: 01.07.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 900/ JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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BUZ10 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BUZ10 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 50 Volt 23 Amp |
Produkt ist nicht verfügbar |