BUZ102SL Siemens
Produktcode: 27207
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Lieblingsprodukt
Hersteller: Siemens
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 1620/ -
JHGF: THT
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ102SL | Hersteller : INFINEON |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BUZ102SL | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±14V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V |
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