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BUZ30A

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Produktcode: 42596
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Gehäuse: TO-220
JHGF: THT
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Technische Details BUZ30A

  • MOSFET, N, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:21A
  • On State Resistance:0.13ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • SVHC:Cobalt dichloride
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:450mJ
  • Current Temperature:26`C
  • Device Marking:BUZ30A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Power Dissipation Ptot:125W
  • Max Voltage Vds:200V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Voltage Vgs th:2.1V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.13ohm
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1G, (2+Tab)D, 3S
  • Power Dissipation:125W
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:84A
  • Typ Capacitance Ciss:1400pF
  • Typ Reverse Recovery Time, trr:180ns
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUZ30A Hersteller : INFINEON BUZ30A.pdf 09+
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BUZ30A BUZ30A Hersteller : Infineon Technologies BUZ30A.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
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BUZ30A BUZ30A Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BUZ30AH_DS_v02_05_en.pdf GaN FETs N-Ch 200V 21A TO220-3
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