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BUZ31 INFINEON


BUZ31.pdf Hersteller: INFINEON
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Technische Details BUZ31 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V, Power Dissipation (Max): 95W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BUZ31 Hersteller : INF BUZ31.pdf TO-220
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BUZ31 BUZ31 Hersteller : Infineon Technologies buz31 rev 2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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BUZ31 BUZ31 Hersteller : Infineon Technologies BUZ31.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 5V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
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BUZ31 BUZ31 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BUZ31LH-DS-v02_04-en-522762.pdf MOSFET N-Ch 200V 14.5A TO220-3
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