BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies


INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
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Technische Details BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BUZ32HXKSA1 Infineon Technologies INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1374 Stücke:
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212+0.82 EUR
256+0.65 EUR
302+0.54 EUR
330+0.48 EUR
359+0.42 EUR
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BUZ32HXKSA1 ROCHESTER ELECTRONICS INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7393 Stücke:
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488+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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BUZ32HXKSA1 INFNS13620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BUZ32HXKSA1 - BUZ32 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9.
tariffCode: 85412100
euEccn: TBC
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productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7393 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
488+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
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