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BVSS138LT1G

BVSS138LT1G onsemi

BSS138LT1-D.PDF
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details BVSS138LT1G onsemi

Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm.

Weitere Produktangebote BVSS138LT1G nach Preis ab 0.036 EUR bis 0.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI BSS138LT1-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.39 EUR
285+0.3 EUR
327+0.26 EUR
559+0.15 EUR
858+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
auf Bestellung 1545021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
13+0.27 EUR
100+0.19 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G BVSS138LT1G onsemi BSS138LT1-D.PDF Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 35709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
58+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
667+0.35 EUR
1136+0.19 EUR
1291+0.17 EUR
1518+0.14 EUR
5000+0.095 EUR
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BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 14255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
317+0.79 EUR
521+0.44 EUR
782+0.27 EUR
1055+0.2 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.12 EUR
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BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.069 EUR
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BVSS138LT1G ON Semiconductor BSS138LT1-D.PDF Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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552+0.31 EUR
558+0.3 EUR
1047+0.15 EUR
1112+0.13 EUR
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3000+0.071 EUR
6000+0.054 EUR
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BVSS138LT1G ONN BSS138LT1-D.PDF
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BVSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.225W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
auf Bestellung 2770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
218+0.39 EUR
285+0.3 EUR
327+0.26 EUR
559+0.15 EUR
858+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
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BVSS138LT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 50V 200MA 3.5O
auf Bestellung 1545021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.57 EUR
13+0.27 EUR
100+0.19 EUR
500+0.15 EUR
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BVSS138LT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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AnzahlPrivatkunde
36+0.58 EUR
58+0.36 EUR
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1000+0.14 EUR
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BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 42263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.63 EUR
667+0.35 EUR
1136+0.19 EUR
1291+0.17 EUR
1518+0.14 EUR
5000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
auf Bestellung 14255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
317+0.79 EUR
521+0.44 EUR
782+0.27 EUR
1055+0.2 EUR
1201+0.18 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72665 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5000+0.036 EUR
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Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.069 EUR
30000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
413+0.43 EUR
552+0.31 EUR
558+0.3 EUR
1047+0.15 EUR
1112+0.13 EUR
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3000+0.071 EUR
6000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
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BVSS138LT1G BSS138LT1-D.PDF
Hersteller: ONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
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