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BVSS84LT1G

BVSS84LT1G ON Semiconductor

bss84lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details BVSS84LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ONSEMI bss84lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
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Anzahl Preis
193+0.37 EUR
260+0.28 EUR
368+0.19 EUR
432+0.17 EUR
603+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 193
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ONSEMI bss84lt1-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.225W
On-state resistance: 10Ω
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : onsemi bss84lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2800 Stücke:
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30+0.6 EUR
49+0.36 EUR
100+0.24 EUR
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : onsemi BSS84LT1-D.PDF MOSFETs PFET 50V 130MA 10.0
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10+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Produktcode: 205838
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BVSS84LT1G Hersteller : On Semiconductor bss84lt1-d.pdf MOSFET P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : onsemi bss84lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ON Semiconductor bss84lt1-d.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BVSS84LT1G BVSS84LT1G Hersteller : ONSEMI 2353874.pdf Description: ONSEMI - BVSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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