| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 0.77 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
| 3000+ | 0.2 EUR |
| 9000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BXK9Q29-60EJ Nexperia
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BXK9Q29-60EJ nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.11 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BXK9Q29-60EJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BXK9Q29-60EJ | Nexperia USA Inc. |
Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: MLPAK33 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 1078 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BXK9Q29-60EJ |
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BXK9Q29-60EJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.029 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 257+ | 0.98 EUR |
| 333+ | 0.7 EUR |
| 599+ | 0.36 EUR |
| 752+ | 0.29 EUR |
| 1011+ | 0.21 EUR |
| BXK9Q29-60EJ |
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
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Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: BXK9Q29-60A/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1078 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.11 EUR |
| 31+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.44 EUR |
| 500+ | 0.33 EUR |
| 1000+ | 0.3 EUR |