BXP10N65CF BRIDGELUX
Hersteller: BRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 95+ | 0.76 EUR |
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| 145+ | 0.49 EUR |
| 152+ | 0.47 EUR |
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Technische Details BXP10N65CF BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 5A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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BXP10N65CF | Hersteller : BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 48W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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