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BXP10N65CF

BXP10N65CF BRIDGELUX


BXP10N65C.pdf Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BXP10N65CF BRIDGELUX

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 5A, Pulsed drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Preis ohne MwSt
BXP10N65CF BXP10N65CF Hersteller : BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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