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BXS105N10B BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BXS105N10B BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8, Polarisation: unipolar, Case: SOP8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 56A, Drain current: 14A, Drain-source voltage: 100V, Gate charge: 71nC, On-state resistance: 10.5mΩ, Power dissipation: 3.5W, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXS105N10B Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 3.5W; SOP8
Polarisation: unipolar
Case: SOP8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 56A
Drain current: 14A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
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