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BXT020N03C BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BXT020N03C BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 130A, Pulsed drain current: 520A, Power dissipation: 120W, Case: PDFN56, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 54nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXT020N03C Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 130A; Idm: 520A; 120W; PDFN56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 120W
Case: PDFN56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
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