Produkte > BRIDGELUX > BXT080N03E

BXT080N03E BRIDGELUX


Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BXT080N03E BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 30A, Pulsed drain current: 120A, Power dissipation: 12W, Case: PDFN8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 13.2nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

Weitere Produktangebote BXT080N03E

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXT080N03E Hersteller : BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 120A; 12W; PDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 12W
Case: PDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH