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BXT090N06B

BXT090N06B BRIDGELUX


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details BXT090N06B BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 4.8W, Case: SOP8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 99nC, On-state resistance: 12mΩ, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 68A, Drain-source voltage: 60V, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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BXT090N06B BXT090N06B Hersteller : BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE8AA0B09840D2&compId=BXT090N06B.pdf?ci_sign=0d18ea44382fed2124ebcaecda9de717d385959a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 60V
Gate-source voltage: ±20V
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