BYG10Y-M3/TR3 Vishay General Semiconductor
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Technische Details BYG10Y-M3/TR3 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V.
Weitere Produktangebote BYG10Y-M3/TR3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BYG10Y-M3/TR3 | Hersteller : Vishay |
 Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BYG10Y-M3/TR3 | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 1.6KV 1.5A 2-Pin SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BYG10Y-M3/TR3 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V |
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