BYG10YHE3_A/I

BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor


byg10.pdf Hersteller: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA)
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Technische Details BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor

Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BYG10YHE3_A/I BYG10YHE3_A/I Hersteller : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R
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Grade: Automotive
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