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BYG21M

BYG21M Taiwan Semiconductor

byg21m_b2102.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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Technische Details BYG21M Taiwan Semiconductor

Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 120 ns, Technology: Avalanche, Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYG21M BYG21M Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BYG21M_B2102.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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BYG21M BYG21M Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B2C6B0D104B380C4&compId=BYG21M-R3G.pdf?ci_sign=1f27adb5a988a0c52a5df6b9242d3645a232173f Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 13pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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254+0.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 186
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BYG21M BYG21M Hersteller : TAIWAN SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B2C6B0D104B380C4&compId=BYG21M-R3G.pdf?ci_sign=1f27adb5a988a0c52a5df6b9242d3645a232173f Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 120ns; SMA; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 120ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 13pF
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: reel; tape
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BYG21M BYG21M Hersteller : Taiwan Semiconductor BYG21M_B2102.pdf Rectifiers 120ns, 1.5A, 1000V, Fast Recovery Rectifier
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BYG21M BYG21M Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BYG21M_B2102.pdf Description: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 13pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
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BYG21M Hersteller : LGE BYG21M_B2102.pdf 1,5A/30AP; 1000V; fast <120ns packaging: reel; BYG21M diode rectifying DP BYG21M
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1800+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1800
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BYG21M Hersteller : VISHAY BYG21M_B2102.pdf
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BYG21M Hersteller : Taiwan Semiconductor byg21m_b2102.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG21M BYG21M Hersteller : Taiwan Semiconductor byg21m_b2102.pdf Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R
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BYG21M Hersteller : Vishay Semiconductors BYG21M_B2102.pdf Small Signal Switching Diodes 1.5A,1000V,120NS,FS,AVALANCH,SMD
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