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BYR29X-600,127

BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors

PHGLS22105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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Technische Details BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220FP, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.

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BYR29X-600,127 Hersteller : WeEn Semiconductors PHGLS22105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw BYR29X-600.127 THT universal diodes
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