BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.63 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.98 EUR |
| 500+ | 0.81 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: TO-220FP, Current - Average Rectified (Io): 8A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote BYR29X-800PQ
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| BYR29X-800PQ | WeEn |
 8A, 800V, TO-220AC Діоди та діодні збірки |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| BYR29X-800PQ | WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Supplier Device Package: TO-220FP Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
BYR29X-800PQ | NXP Semiconductors |
Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BYR29X-800PQ |
|
Hersteller: WeEn
8A, 800V, TO-220AC Діоди та діодні збірки
8A, 800V, TO-220AC Діоди та діодні збірки
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| BYR29X-800PQ |
|
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220FP
Current - Average Rectified (Io): 8A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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| BYR29X-800PQ |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F
Diode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220F
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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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