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BYV10D-600PJ

BYV10D-600PJ WeEn Semiconductors

BYV10D_600P-1947876.pdf Hersteller: WeEn Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching BYV10D-600P/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
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Technische Details BYV10D-600PJ WeEn Semiconductors

Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 132A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.3V, Sperrverzögerungszeit: 100ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BYV10D-600PJ BYV10D-600PJ Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS 3204966.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
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Sperrverzögerungszeit: 100ns
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Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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BYV10D-600PJ BYV10D-600PJ Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS 3204966.pdf Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV10D-600PJ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 10 A, Einfach, 1.3 V, 100 ns, 132 A
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Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 132A
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Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
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usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
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Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
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Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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BYV10D-600PJ Hersteller : Ween byv10d-600p.pdf Ultrafast Power Diode
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BYV10D-600PJ BYV10D-600PJ Hersteller : WeEn Semiconductors BYV10D-600P.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 120A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
Anzahl je Verpackung: 7500 Stücke
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BYV10D-600PJ Hersteller : WeEn Semiconductors BYV10D-600P.pdf Description: BYV10D-600P/TO252/REEL 13" Q1/T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
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BYV10D-600PJ BYV10D-600PJ Hersteller : WeEn Semiconductors BYV10D-600P.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 10A; DPAK; Ifsm: 120A; reel,tape
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 120A
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