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BYV26D-TR

BYV26D-TR Vishay


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Hersteller: Vishay
Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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Technische Details BYV26D-TR Vishay

Description: VISHAY - BYV26D-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-57, Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 2.5V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYV26, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26.pdf Description: DIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay Semiconductors byv26.pdf Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt 30 Amp IFSM
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : VISHAY VISHS83127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BYV26D-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.5V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BYV26
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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BYV26D-TR BYV26D-TR Hersteller : Vishay byv26.pdf Diode Switching 800V 1A 2-Pin SOD-57 T/R
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BYV26D-TR Hersteller : Vishay byv26.pdf Ultrafast 1.0A 800V 75ns SOD-57 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
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BYV26D TR Hersteller : FAGOR Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; reel; Ifsm: 30A; DO204AL,DO41; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Kind of package: reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41; DO204AL
Max. forward voltage: 1.3V
Max. load current: 10A
Reverse recovery time: 75ns
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