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BYV26E

BYV26E EIC Semiconductor

byv26a_e.pdf Hersteller: EIC Semiconductor
Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41
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Technische Details BYV26E EIC Semiconductor

Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41, Packaging: Bag, Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-41, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

Möglichen Substitutionen BYV26E EIC Semiconductor

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BYV26E BYV26E
Produktcode: 214214
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Hersteller : Vishay byv26dgp.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-204AC
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 А
Trr, ns: 75 ns
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BYV26E Hersteller : EIC SEMICONDUCTOR INC. BYV26A_E.PDF Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
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BYV26E (LGE) BYV26E (LGE)
Produktcode: 127965
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Hersteller : LGE/Philips byv26-datasheet.pdf Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-57
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 1 А
Trr, ns: 75 ns
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BYV26E
Produktcode: 37398
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Hersteller : Vishay BYV26A_E.PDF Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-57
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
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10+0.29 EUR
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BYV26E BYV26E Hersteller : EIC Semiconductor byv26a_e.pdf Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41
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BYV26E BYV26E Hersteller : Vishay Semiconductors BYV26A_E.PDF Rectifiers
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