Technische Details BYV29B-600,118 Ween
Description: DIODE GEN PURP 600V 9A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 9A, Supplier Device Package: D2PAK, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote BYV29B-600,118
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : NXP Semiconductors |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: D2PAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
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BYV29B-600,118 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
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