
BZD17C100P R3G Taiwan Semiconductor
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Technische Details BZD17C100P R3G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 100V 800MW SUB SMA, Packaging: Tape & Reel (TR), Tolerance: ±6%, Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V, Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms, Supplier Device Package: Sub SMA, Part Status: Active, Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZD17C100P R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±6% Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 100 V Impedance (Max) (Zzt): 200 Ohms Supplier Device Package: Sub SMA Part Status: Active Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 75 V |
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BZD17C100P R3G | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
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