BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V
Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 0.67 EUR |
| 35+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.20 EUR |
| 2000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details BZD27B110P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V, Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZD27B110P-M3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110 V Impedance (Max) (Zzt): 250 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 82 V |
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BZD27B110P-M3-08 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
Zener Diodes ZENER DIODE SMF AEC-Q101 Qualified |
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