
BZD27C4V3P-M3-08 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 28869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 0.67 EUR |
10+ | 0.51 EUR |
100+ | 0.32 EUR |
1000+ | 0.19 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BZD27C4V3P-M3-08 Vishay Semiconductors
Description: DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V, Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Power - Max: 800 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V.
Weitere Produktangebote BZD27C4V3P-M3-08
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
BZD27C4V3P-M3-08 | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
![]() |
BZD27C4V3P-M3-08 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 7 Ohms Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Power - Max: 800 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1 V |
Produkt ist nicht verfügbar |