BZT52B3V9-G Taiwan Semiconductor
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Technische Details BZT52B3V9-G Taiwan Semiconductor
Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123, Tolerance: ±2%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V, Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms, Supplier Device Package: SOD-123, Power - Max: 410 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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BZT52B3V9-G | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: DIODE ZENER 3.9V 410MW SOD123Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-123 Power - Max: 410 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V |
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