BZW50-12B STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: TVS DIODE 12VWM 28VC R6
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: R-6, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 9250pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2143A (2.143kA) (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: R-6
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 100+ | 4.68 EUR |
| 300+ | 4.44 EUR |
| 500+ | 3.99 EUR |
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Technische Details BZW50-12B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-12B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 12 V, 22 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 13.3V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 13.3V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 12V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZW50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 22V.
Weitere Produktangebote BZW50-12B nach Preis ab 0.71 EUR bis 9.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Suppressors / TVS Diodes 5000W 12V Bidirect |
auf Bestellung 459 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-12B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 12 V, 22 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 13.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 13.3V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZW50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 22V |
auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 12VWM 28VC R6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 9250pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2143A (2.143kA) (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BZW50-12B | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case D-6 |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BZW50-12B | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case D-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Mounting: THT Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 227A Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 12V Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 5µA Case: R6 Type of diode: TVS Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Mounting: THT Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 227A Peak pulse power dissipation: 5kW Max. off-state voltage: 12V Kind of package: Ammo Pack Semiconductor structure: bidirectional Leakage current: 5µA Case: R6 Type of diode: TVS |
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