BZW50-12B STMicroelectronics
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Technische Details BZW50-12B STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-12B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 12 V, 22 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Axial bedrahtet, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 13.3V, Qualifikation: -, Durchbruchspannung, max.: 13.3V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 12V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW, TVS-Polarität: Bidirektional, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: BZW50, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Klemmspannung, max.: 22V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BZW50-12B nach Preis ab 0.65 EUR bis 4.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
 Diode TVS Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case R-6 Ammo |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 12VWM 28VC R6 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 9250pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2143A (2.143kA) (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TVS DIODE 12VWM 28VC R6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: R-6, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Applications: General Purpose Capacitance @ Frequency: 9250pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2143A (2.143kA) (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V Supplier Device Package: R-6 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 13.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 28V Power - Peak Pulse: 5000W (5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 5000W 12V Bidirect |
auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BZW50-12B - TVS-Diode, BZW50, Bidirektional, 12 V, 22 V, Axial bedrahtet, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 13.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 13.3V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 12V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZW50 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Klemmspannung, max.: 22V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BZW50-12B | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case D-6 |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case R-6 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BZW50-12B | Hersteller : EIC |
TVS Diode Single Bi-Dir 12V 5KW 2-Pin Case D-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 227A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: Ammo Pack Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BZW50-12B | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: Bidirectional TVS THT diodes Description: Diode: TVS; 13.3V; 227A; bidirectional; R6; 5kW; Ammo Pack Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 13.3V Max. forward impulse current: 227A Semiconductor structure: bidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 5kW Kind of package: Ammo Pack |
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