C3M0015065K Wolfspeed
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 38.45 EUR |
| 10+ | 36.71 EUR |
| 25+ | 33.78 EUR |
| 50+ | 32.16 EUR |
| 100+ | 30.56 EUR |
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Technische Details C3M0015065K Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V, Power Dissipation (Max): 416W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V.
Weitere Produktangebote C3M0015065K nach Preis ab 30.56 EUR bis 85.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 120A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial |
auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA Supplier Device Package: TO-247-4L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V |
auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed |
C3M0015065K |
auf Bestellung 343 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0015065K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
C3M0015065K THT N channel transistors |
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