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C3M0025065D

C3M0025065D Wolfspeed

c3m0025065d.pdf Hersteller: Wolfspeed
650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
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Technische Details C3M0025065D Wolfspeed

Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V.

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C3M0025065D C3M0025065D Hersteller : Wolfspeed c3m0025065d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
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C3M0025065D C3M0025065D Hersteller : Wolfspeed C3M0025065D.pdf MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
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C3M0025065D C3M0025065D Hersteller : Wolfspeed, Inc. C3M0025065D.pdf Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
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