C3M0040120K Wolfspeed
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| Anzahl | Preis |
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| 7+ | 24.39 EUR |
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Technische Details C3M0040120K Wolfspeed
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 326W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote C3M0040120K nach Preis ab 19.27 EUR bis 45.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 42750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 415 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 152800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial |
auf Bestellung 1450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V Power Dissipation (Max): 326W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V |
auf Bestellung 1791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-4 Mounting: THT Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| C3M0040120K | Hersteller : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W Case: TO247-4 Mounting: THT Reverse recovery time: 30ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 48A On-state resistance: 68mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 99nC Technology: C3M™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -8...19V Pulsed drain current: 223A |
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