| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.4 EUR |
| 10+ | 12.48 EUR |
| 75+ | 8.48 EUR |
| 525+ | 7.73 EUR |
| 1050+ | 5.28 EUR |
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Technische Details C4D08120E Wolfspeed
Description: DIODE SILICON 1.2KV 24.5A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 24.5A, Supplier Device Package: TO-252-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V.
Weitere Produktangebote C4D08120E nach Preis ab 9.02 EUR bis 18.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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C4D08120E | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SILICON 1.2KV 24.5A TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 24.5A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| C4D08120E | Hersteller : Wolfspeed |
DIODE SILICON 1.2KV 24.5A TO252 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
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