CAR600M12HN6 Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 908A MODULE
Supplier Device Package: Module
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45300pF @ 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 908A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details CAR600M12HN6 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 908A MODULE, Supplier Device Package: Module, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45300pF @ 0V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 908A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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CAR600M12HN6 | Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules HM3 1200V 600A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CAR600M12HN6 |
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Hersteller: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules HM3 1200V 600A
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