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CDBJFSC101200-G

CDBJFSC101200-G Comchip Technology

QW_BSC14_CDBJFSC101200_G_RevB-2506355.pdf
Hersteller: Comchip Technology
SiC Schottky Diodes SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
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Technische Details CDBJFSC101200-G Comchip Technology

Description: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220F, Supplier Device Package: TO-220F, Current - Average Rectified (Io): 10A, Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 0V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.

Weitere Produktangebote CDBJFSC101200-G nach Preis ab 14.09 EUR bis 20.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
CDBJFSC101200-G Comchip Technology CDBJFSC101200-G493296.pdf Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
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10+17.65 EUR
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CDBJFSC101200-G CDBJFSC101200-G493296.pdf
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