CDBJFSC8650-G Comchip Technology
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.03 EUR |
| 10+ | 4.69 EUR |
| 100+ | 4.38 EUR |
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Technische Details CDBJFSC8650-G Comchip Technology
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 560pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220F, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote CDBJFSC8650-G nach Preis ab 13.91 EUR bis 15.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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CDBJFSC8650-G | Comchip Technology |
 Rectifier Diode Schottky SiC 650V 14A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| CDBJFSC8650-G |
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Hersteller: Comchip Technology
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 14A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
Rectifier Diode Schottky SiC 650V 14A 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 50+ | 15.15 EUR |
| 100+ | 13.91 EUR |