
CDN1308EDL CDIL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323; ESD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.185Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: SOT323
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 6325 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
1200+ | 0.06 EUR |
1350+ | 0.05 EUR |
1450+ | 0.05 EUR |
1525+ | 0.05 EUR |
3000+ | 0.05 EUR |
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Technische Details CDN1308EDL CDIL
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323; ESD, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 1.1A, On-state resistance: 0.185Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Version: ESD, Gate charge: 1.4nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 6A, Mounting: SMD, Case: SOT323, Anzahl je Verpackung: 25 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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CDN1308EDL | Hersteller : CDIL |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; Idm: 6A; 0.3W; SOT323; ESD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.1A On-state resistance: 0.185Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SOT323 |
auf Bestellung 6325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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