CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
Hersteller: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R
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Technische Details CIG10F2R2MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.5A 0.45Ohm DCR 0603 T/R.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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.jpg "CIG10F2R2MNC") |
CIG10F2R2MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 2.2UH 500MA 450 MOHM |
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CIG10F2R2MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 2.2UH 500MA 450 MOHM |
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