CIG10W1R0MNC SAMSUNGEM
Hersteller: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R
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Technische Details CIG10W1R0MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 0.95A 0.2Ohm DCR 0603 T/R.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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.jpg "CIG10W1R0MNC") |
CIG10W1R0MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 1UH 950MA 200 MOHM SMD |
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CIG10W1R0MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics America, Inc. |
Description: FIXED IND 1UH 950MA 200 MOHM SMD |
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