CIG10W2R2MNC SAMSUNGEM
Hersteller: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.75A 0.3Ohm DCR 0603 T/R
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Technische Details CIG10W2R2MNC SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.75A 0.3Ohm DCR 0603 T/R.
Weitere Produktangebote CIG10W2R2MNC
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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-,80mm.jpg "CIG10W2R2MNC") |
CIG10W2R2MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 2.2UH 750MA 300MOHM SM |
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CIG10W2R2MNC | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 2.2UH 750MA 300MOHM SM |
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