CIG21W1R0MNE SAMSUNGEM
Hersteller: SAMSUNGEMInductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R
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Technische Details CIG21W1R0MNE SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1uH 20% 1MHz Ferrite 1.05A 0.13Ohm DCR 0805 T/R.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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-2,00x1.25x,80mm.jpg "CIG21W1R0MNE") |
CIG21W1R0MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1UH 1.05A 133 MOHM SMD |
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CIG21W1R0MNE | Hersteller : Samsung Electro-Mechanics |
Description: FIXED IND 1UH 1.05A 133 MOHM SMD |
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