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CIG21W2R2MNE

CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM

inductor-powerinductor.pdf Hersteller: SAMSUNGEM
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R
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Technische Details CIG21W2R2MNE SAMSUNGEM

Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz Ferrite 0.81A 0.2Ohm DCR 0805 T/R.

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CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE Hersteller : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM
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CIG21W2R2MNE CIG21W2R2MNE Hersteller : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Description: FIXED IND 2.2UH 810MA 200MOHM SM
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CIG21W2R2MNE Hersteller : Samsung Electro-Mechanics CIG21W_ds.pdf Samsung CIG,Power Inductor,0805,2.2uH,1.0?,7 embossed,-20 20%
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