CIH10T1N2SNC Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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Technische Details CIH10T1N2SNC Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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CIH10T1N2SNC | Hersteller : SAMSUNGEM |
 Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 0.0012uH 0.3nH 100MHz 8Q-Factor Ceramic 0.8A 0.05Ohm DCR 0603 T/R |
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