CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
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Technische Details CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8), Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-128, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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CMG06(TE12L,Q,M) | Toshiba |
Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 1.1V VFM 15A IFRM |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| CMG06(TE12L,Q,M) |
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Hersteller: Toshiba
Rectifiers 600V Vrrm 1.0A IF 1.1V VFM 15A IFRM
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